Гранат GGG / SGGG / NGG используется в жидкой эпитаксии. Базовая плата SGGG является специальной базой для магнитно - оптических пленок. В устройствах оптической связи требуется большое количество оптических сепараторов 1.3u и 1.5u, ядром которых является пленка YIG или BIG, помещенная в магнитное поле.
Подшивка SGGG является отличной подложкой для выращивания эпитаксиальной мембраны железа - граната висмутового поколения и отличным материалом для подготовки YIG, BiYIG и GdBIG.
Он обладает хорошими физико - механическими свойствами и химической стабильностью.
Приложения:
YIG, экстраполяционная пленка BIG;
Микроволновое оборудование;
Замена GGG
Свойства:
| Сочинение |
(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12 |
| Кристаллическая структура |
Кубический: a =12.480 Å , |
| молекулярная диэлектрическая константа W |
968,096 |
| Температура плавления |
~1730 oC |
| Плотность |
~ 7.09 g/cm3 |
| Твердость |
~ 7.5 ( Морнс) |
| Коэффициент преломления |
1.95 |
| Диэлектрическая постоянная |
30 |
| тангенс диэлектрических потерь (10 ГГц) |
ca. 3.0 * 10_4 |
| Метод выращивания кристаллов |
Цохралски |
| Направление роста кристалла |
<111> |
Технические параметры:
| Направление |
< 111 > < 100 > В течение ±15 угловых минут |
| искажение волнового фронта |
<1/4 wave@632 |
| Допуск на диаметр |
±0.05mm |
| Допуск на длину |
±0.2mm |
| Наклонить угол |
0.10mm@45º |
| Плотность |
633 нм < 1 / 10 волны |
| Сходство |
< 30 arc Seconds |
| Вертикальность |
< 15 arc min |
| Качество поверхности |
10 / 5 Сцарапание / выемка |
| Очистить вершину |
>90% |
| Большой размер кристалла |
Диаметр 2,8 – 76 мм |