Кристаллы GSGG

Гранат GGG / SGGG / NGG используется в жидкой эпитаксии. Базовая плата SGGG является специальной базой для магнитно – оптических пленок. В устройствах оптической связи требуется большое количество оптических сепараторов 1.3u и 1.5u, ядром которых является пленка YIG или BIG, помещенная в магнитное поле.


  • Сочинение: (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Кристаллическая структура: Cubic: a =12.480 Å
  • молекулярная диэлектрическая константа W: 968,096
  • Температура плавления: ~1730 oC
  • Плотность: ~ 7.09 g/cm3
  • Твердость: ~ 7.5 ( mohns)
  • Коэффициент преломления: 1.95
  • Диэлектрическая постоянная: 30
  • Подробная информация о продукции

    Технические параметры

    Гранат GGG / SGGG / NGG используется в жидкой эпитаксии. Базовая плата SGGG является специальной базой для магнитно - оптических пленок. В устройствах оптической связи требуется большое количество оптических сепараторов 1.3u и 1.5u, ядром которых является пленка YIG или BIG, помещенная в магнитное поле.
    Подшивка SGGG является отличной подложкой для выращивания эпитаксиальной мембраны железа - граната висмутового поколения и отличным материалом для подготовки YIG, BiYIG и GdBIG.
    Он обладает хорошими физико - механическими свойствами и химической стабильностью.
    Приложения:
    YIG, экстраполяционная пленка BIG;
    Микроволновое оборудование;
    Замена GGG

    Свойства:

    Сочинение
    (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Кристаллическая структура
    Кубический: a =12.480 Å ,
    молекулярная диэлектрическая константа W
    968,096
    Температура плавления
    ~1730 oC
    Плотность
    ~ 7.09 g/cm3
    Твердость
    ~ 7.5 ( Морнс)
    Коэффициент преломления
    1.95
    Диэлектрическая постоянная
    30
    тангенс диэлектрических потерь (10 ГГц)
    ca. 3.0 * 10_4
    Метод выращивания кристаллов
    Цохралски
    Направление роста кристалла
    <111>

    Технические параметры:

    Направление
    < 111 > < 100 > В течение ±15 угловых минут
    искажение волнового фронта
    <1/4 wave@632
    Допуск на диаметр
    ±0.05mm
    Допуск на длину
    ±0.2mm
    Наклонить угол
    0.10mm@45º
    Плотность
    633 нм < 1 / 10 волны
    Сходство
    < 30 arc Seconds
    Вертикальность
    < 15 arc min
    Качество поверхности
    10 / 5 Сцарапание / выемка
    Очистить вершину
    >90%
    Большой размер кристалла
    Диаметр 2,8 – 76 мм