Продукты

Неочищенные кристаллы YAP

YAP характеризуется высокой плотностью, высокой механической прочностью, химической стабильностью, нерастворимостью в органических кислотах, сильной щелочной стойкостью, высокой теплопроводностью и высокой термодиффузией. YAP – идеальный кристалл лазерной подложки.
Неочищенный кристалл YVO4

Неочищенный кристалл YVO4 является недавно разработанным превосходным двойным преломляющим оптическим кристаллом, который широко используется во многих онлайн – сортировках смещения луча из – за его большой скорости двойного преломления.
LBO Кристалл

LBO (триборат лития – LiB3O5) является наиболее часто используемым в настоящее время материалом для генерации вторичной гармоники (SHG) на лазере высокой мощности 1064 нм (в качестве альтернативы KTP) и генерации лазерных источников и частот 1064 нм (SFG) для достижения ультрафиолетового света 355 нм.
Кристалл ZnTe

Теллурид цинка является бинарным соединением с химической формулой ZnTe. COLOR PHOTONICS производит кристалл ZnTe с кристаллической осью < 110 >, идеальный материал для обеспечения импульсов терагерцовой частоты с помощью нелинейного оптического процесса, называемого оптическим выпрямлением, с использованием высокоинтенсивных световых импульсов в субпикосекундных секундах. Компоненты ZnTe, поставляемые COLOR PHOTONICS, не имеют дефектов двойников.
Кристаллы AGS (AggaS2)

AGS прозрачна в диапазоне от 0,50 до 13,2 мкм. Хотя коэффициент нелинейной оптики является самым низким среди вышеупомянутых инфракрасных кристаллов, в OPO лазерной накачки Nd: YAG используется высококоротковолновый прозрачный край на 550 нм; В большом количестве экспериментов по смешиванию дифференциальных частот с диодами, титановыми драгоценными камнями, Nd: YAG и лазерами на инфракрасных красителях в диапазоне 3 – 12 мкм; В системах прямого инфракрасного противодействия и SHG для лазеров CO2. Тонкие кристаллические пластины AggaS2 (AGS) популярны в среднем инфракрасном диапазоне для генерации ультракоротких импульсов, используя дифференциальную частоту импульсов длины волны NIR.
Кристалл HgGa2S4

Высокие значения порога лазерного повреждения и эффективности преобразования позволяют использовать нелинейные кристаллы HgGa2S4 (HGS), содержащие тиоглобин ртути, для умножения частоты и OPO / OPA в диапазоне длин волн от 1,0 до 10 мкм. Было установлено, что для компонентов HgGa2S4 длиной 4 мм эффективность SHG лазерного излучения CO2 составляет около 10% (длительность импульса 30 ns, плотность мощности излучения 60 МВт / см2). Высокая эффективность преобразования и широкая настройка длины волны излучения позволяют ожидать, что этот материал может конкурировать с кристаллами AggaS2, AggaSe2, ZnGeP2 и GaSe, хотя процесс роста крупногабаритных кристаллов довольно сложный.